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SJ20858-2002 SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法

标准编号:SJ 20858-2002 时间:2002-12-12 大小:KB 浏览次数:86 下载次数:17
资料名称: SJ20858-2002 SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法
标准类别: 行业标准
语  言: 简体中文
文件类型: .rar
整理时间: 2002-12-12
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标准状态: (仅供参考)
作废日期: (仅供参考)
实施日期: 2003-05-01(仅供参考)
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标准简介: SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 电子行业标准(SJ) SJ20858-2002 本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃~700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。

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标准编号: SJ 20858-2002 正在载入地址
标准名称: 碳化硅单晶材料电学参数测试方法
英文名称: Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material(仅供参考)
替代情况: (仅供参考)
采标情况: (仅供参考)
发布部门: (仅供参考)
页  数: 9页(仅供参考)
首发日期: (仅供参考)
复审日期: (仅供参考)
提出单位: (仅供参考)
归口单位: (仅供参考)
主管部门: (仅供参考)
起草单位: 中国电子科技集团公司第四十六所(仅供参考)
相关标准: 无相关信息
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