SJ20858-2002 SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法
标准编号：SJ 20858-2002 时间：2002-12-12 大小：KB 浏览次数：86 下载次数：17| 资料名称： | SJ20858-2002 SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 | |
| 标准类别： | 行业标准 | ||
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 文件类型： | .rar | ||
| 整理时间： | 2002-12-12 | ||
| 等 级： |  |
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| 标准状态： | （仅供参考） | ||
| 作废日期： | （仅供参考） | ||
| 实施日期： | 2003-05-01（仅供参考） | ||
| 授权方式： | 免费下载 | ||
| 下载方式： | 直接下载 | ||
| 浏览次数： | 86次 |
| 标准简介： | SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 电子行业标准(SJ) SJ20858-2002 本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。 标准压缩包解压密码：www.51zbz.com |
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| 标准编号： | SJ 20858-2002 正在载入地址 | |
| 标准名称： | 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 | |
| 英文名称： | Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material（仅供参考） | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | （仅供参考） | |
| 发布部门： | （仅供参考） | |
| 页 数： | 9页（仅供参考） | |
| 首发日期： | （仅供参考） | |
| 复审日期： | （仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | （仅供参考） | |
| 主管部门： | （仅供参考） | |
| 起草单位： | 中国电子科技集团公司第四十六所（仅供参考） | |
| 相关标准： | 无相关信息 | |
| 下载次数： | 17次 | |
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