GB/T13151-2005 GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
标准编号：GB/T 13151-2005 时间：2005-03-23 大小：KB 浏览次数：38 下载次数：13| 资料名称： | GB/T13151-2005 GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 | |
| 标准类别： | 国家标准 | ||
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 文件类型： | .rar | ||
| 整理时间： | 2005-03-23 | ||
| 等 级： |  |
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| 标准状态： | （仅供参考） | ||
| 作废日期： | （仅供参考） | ||
| 实施日期： | 2005-10-01（仅供参考） | ||
| 授权方式： | 免费下载 | ||
| 下载方式： | 直接下载 | ||
| 浏览次数： | 38次 |
| 标准简介： | GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 国家标准(GB) GB/T13151-2005 标准压缩包解压密码：www.51zbz.com |
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| 标准编号： | GB/T 13151-2005 正在载入地址 | |
| 标准名称： | 半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 | |
| 英文名称： | Semiconductor devices—Discrete devices—Part 6:thyristors—Section three—Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A（仅供参考） | |
| 替代情况： | GB/T 13151-1991（仅供参考） | |
| 采标情况： | IEC 60747-6-3/QC 750113:1993,IDT（仅供参考） | |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会（仅供参考） | |
| 页 数： | 16开， 页数：15， 字数：25千字（仅供参考） | |
| 首发日期： | 1991-08-29（仅供参考） | |
| 复审日期： | （仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 全国半导体器件标准化技术委员会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 信息产业部（电子）（仅供参考） | |
| 起草单位： | （仅供参考） | |
| 相关标准： |
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